未來幾年SiC上游材料端市場將深度受益于汽車電動化、電動汽車配套設備建設、5G基站及數據中心建設等下游應用端需求增長，未來可期。

整體來看，碳化硅的耐高壓能力是硅的10倍、耐高溫能力是硅的2倍、高頻能力是硅的2倍。與硅基模塊相比，碳化硅二極管及開關管組成的模塊（全碳模塊），不僅具有碳化硅材料本征特性優勢，在應用時還可以縮小模塊體積50%以上、消減電子轉換損耗80%以上，從而降低綜合成本。

新能源汽車市場碳化硅需求巨大

新能源汽車系統架構中涉及到功率半導體應用的組件包括：電機驅動系統、車載充電系統（OBC）、電源轉換系統（車載DC/DC）和非車載充電樁。碳化硅功率器件定位于1KW-500KW之間，工作頻率在10KHz-100MHz之間的場景，在新能源汽車中主要應用于電機驅動系統中的主逆發器，能夠顯著降低電力電子系統的體積、重量和成本，提高功率密度。

其中，800V電壓平臺中碳化硅的使用是電驅升級的核心。碳化硅的耐高溫、低開關損耗、耐高壓、耐高頻等特點，使得碳化硅MOSFET成為電動汽車電壓平臺升級至800V的不二之選。同時，碳化硅器件的應用并未增加單車成本。

光伏產業政策利好，持續釋放SiC需求

在光伏、風力等發電系統中，逆發器將不同電壓等級的直流電轉換為交流電，驅動家用電器、照明等交流負載。

SiC逆發器為太陽能光伏發電、風力發電等各種可再生發電系統提供各種完美的電源變換和接入方案，也將催生SiC市場的增長。SiC的逆發器在節能、減小系統尺寸和壽命成本方面都優于基于硅的設備。對于需要以盡可能少的功率損失成功利用風能的風力發電系統而言，這些性能指標至關重要。

軌道交通：軌道交通大幅應用，SiC優勢盡顯

軌道交通車輛中大量應用功率半導體器件，其中牽引變流器是機車大功率交流傳動系統的核心裝備，將碳化硅器件應用于此，能極大發揮碳化硅器件高溫、高頻和低損耗特性，提高牽引發流器裝置效率，符合軌道交通大容量、輕量化和節能型牽引發流裝置的應用需求，提升系統的整體效能。

5G、國防驅動射頻市場穩升，半絕緣型襯底快速發展

氮化鎵器件因其良好的導熱性能、高頻率、高功率等優勢，正在取代LDMOS在通信弘基站、雷達及其他寬帶領域的應用，是迄今為止最為理想的微波射頻器件，因此成為4G/5G的移動通訊系統、新一代有源相控陣雷達等系統的核心微波射頻器件。

5G通訊和國防雙輪驅動射頻GaN市場

射頻GaN的應用場景主要包括4G LTE和5G電信基礎設施、手機、國防、衛星通信、射頻功率和民用雷達等。未來幾年，5G通訊和國防軍工將持續作為GaN射頻器件市場的主要驅動力，截止2026年這兩者在整個市場中所占份額將分別為41％和49％，衛星通訊等新興領域也將帶來新機遇。

根據Yole的數據， GaN射頻器件市場總價值將從8.91億美元增加到24億美元以上，2020年到2026年的CAGR為18%。

移動衛星通信或是GaN射頻市場的下一個驅動力

在射頻和微波通信領域，GaN的抗電離輻射能力使其成為衛星通信的絕佳選擇。此外，GaN的高電子移動率使其能夠更好地放大衛星頻段的功率，有利于衛星通信上行。

目前移動衛星通信已經部署在固定衛星通訊系統中，由于嚴格的認證周期， GaN在移動衛星系統中的滲透率仍然有限，但從長遠來看，移動衛星通信可能是GaN射頻解決方案的下一個市場驅動力。

目前碳化硅產業下游需求旺盛，但上游材料端工藝和良率瓶頸亟待突破，產能不足現象嚴重制約碳化硅應用起量。無論是上游還是下游，皆呈現“得材料者得天下”的態勢。