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SiC MOSFET

公司設(shè)計(jì)并生產(chǎn)的SiC 特種MOSFET主要考慮高溫能力更強(qiáng)、極致縮小寄生電容、抗輻照能力改善等特種性能，主要應(yīng)用于公司自身的特種電源系統(tǒng)或?qū)ν獬鍪壑小Ｒ愿邷啬芰槔Ｒ?guī)SiC MOSFET的最高結(jié)溫為175℃，為了將MOS應(yīng)用到200℃以上的電源系統(tǒng)中，公司至少解決了以下幾個(gè)SIC MOS在高溫情況下的關(guān)鍵問題：1、高溫情況下的柵氧漏電流大幅增加，2、高溫下非晶態(tài)的隔離氧化層軟化問題，3、高溫下MOS閾值電壓的大幅下降問題，4、高溫下阻斷電壓大幅下降問題，5、高溫下漂移區(qū)電阻增加、溝道電阻降低等。為了解決這些問題，公司在柵氧層厚度、低K值的隔離介質(zhì)層材料、P區(qū)離子注入濃度、源極金屬化、封裝等層面下了很大的功夫。公司MOS的結(jié)溫大幅提升，同時(shí)在極高溫情況下的溫漂更小。目前，公司的碳化硅特種芯片也接受定制。

Part Number	Status	Blocking Voltage	Package	Configuration	ID（A）	VGS（V）	RDS(ON) (mΩ) typ	RDS(ON) (mΩ) max	VGSth（V）	Ciss（pF）	Coss（pF）	Crss（pF）	Qg*（nC）	Qgd（nC）	Trr（ns）
PXMF4565T3	Active2	650	TO247-3	single	45	25	58	72	2	1228	148	24	94	44	22
PXMF10065T3	Active2	650	TO247-3	single	100	25	28	36	2	2310	259	45	138	68	69
PXMF36120T3	Active2	1200	TO247-3	single	36	25	70	85	1.5	1326	67	11	90	40	33
PXMF60120T4	Active2	1200	TO247-4	single	60	25	40	52	1.5
PXMF80120T4	Active2	1200	TO247-4	single	80	25	27	35	1.5	3390	169	16	180	23	44
PXMF06170T3	Active2	1700	TO247-3	single	6	25	380	480	2	319	19	5	33	24	67

Sic 特種 MOSFET

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