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碳化硅芯片設計工程師
崗位職責： 1.進行碳化硅MOSFET, IGBT, SBD等功率半導體的器件及工藝仿真,版圖設計和工藝流程制定； 2.器件封裝，測試，特性及失效分析； 3.工藝和設計方案優化，提高產品性能及良率；碳化硅功率模塊設計工程師
崗位職責： 1、負責IGBT/SIC功率模塊布局設計、結構設計、電/熱/力性能分析和優化； 2、負責功率模塊可靠性設計仿真優化； 2、負責建立及維護材料庫，負責產品技術文檔編制；開關電源設計工程師
崗位職責： 1、負責IGBT/SIC功率模塊布局設計、結構設計、電/熱/力性能分析和優化； 2、負責功率模塊可靠性設計仿真優化；微電子專業應屆畢業生
崗位職責：(參與MOS芯片開發） 1、根據市場趨勢，共同建立MOS（Trench MOS，SGT MOS）芯片設計發展規劃圖； 2、共同制定芯片設計與開發項目的目標和規劃，制定明確的項目進程表； 3、根據AE分析，對所要開發的MOS產品進行參數指標的設定；
0571-83525950