崗位職責：
1.進行碳化硅MOSFET, IGBT, SBD等功率半導體的器件及工藝仿真,版圖設計和工藝流程制定；
2.器件封裝，測試，特性及失效分析；
3.工藝和設計方案優化，提高產品性能及良率；

崗位要求：
1.本科及以上學歷，具備半導體物理和半導體器件物理背景，熟悉MOSFET，IGBT, SBD等功率半導體的產品開發流程；
2.具備1年以上半導體器件仿真經驗；
3.具有在芯片/器件企業中仿真設計器件經驗者優先，有Synopsys或Silvaco工藝仿真軟件使用經驗者優先；
4.具有Wafer Fab實際經驗和MOSFET，IGBT, SBD等功率半導體產品的實際開發/生產經驗；
5.熟悉版圖設計(Layout Design)和器件仿真(TCAD Simulation)。

福利待遇：

1、提供行業內有競爭力的薪酬待遇，有能力者薪酬不設上限，同時提供簽字費，過節費，項目獎，季度獎，年終獎，期權獎勵，薪資優厚；

工作地點：杭州或北京或深圳