崗位職責：(參與MOS芯片開發）
1、根據市場趨勢，共同建立MOS（Trench MOS，SGT MOS）芯片設計發展規劃圖；
2、共同制定芯片設計與開發項目的目標和規劃，制定明確的項目進程表；
3、根據AE分析，對所要開發的MOS產品進行參數指標的設定；
4、功率半導體器件設計及仿真，以確保產品在理論上符合設計指標；
5、與Foundry廠家共同建立工藝流程，以確保產品參數、可靠性及工藝窗口達到設計指標；
6、根據需求進行產品變更與維護，實驗數據的統計分析 ；
7、共同推進組內項目進展，確保項目按計劃達成量產目標；
8、共同參與組內文件體系、規則與流程的建立和管理。
任職要求：
1、半導體或微電子相關專業，本科或碩士學歷以上；
2、本科時或讀研時論文最好是有關于功率MOS類芯片設計與開發、芯片工藝制造；同時大致熟悉產品封裝工藝及產品應用；
3、良好的項目和團隊精神。
薪酬福利：
1、工資=固定薪酬+激勵薪酬+期權激勵(任職5年)；
2、齊全的福利體系：社會福利+公司福利；
3、工作時間：每天8小時，雙休；
4、薪酬空間：基層25W+/年；優秀者：50W+/年
發展空間：
1、公司為技術人員提供廣闊的發展空間；歡迎有志者加入團隊。