據韓媒報道，三星電子正在加速進軍下一代功率半導體市場。據了解，今年早些時候，在組建了與SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）器件開發相關的功率半導體TF后，他們正積極投資研發和原型生產所需的設施。

特別值得一提的是投資的工藝領域。就 SiC 而言，6 英寸工藝最近才如火如荼。盡管如此，三星電子正試圖引進更先進的“8英寸”工藝設備。業界看到，考慮到真正進入SiC市場的時間，三星電子正在采取直奔8英寸而不是6英寸的策略。

3月30日，據韓媒THELEC報道稱，三星電子正在推進設備投資，以開發8英寸SiC/GaN工藝。據了解，迄今為止完成的投資僅在 1000 億至 2000 億韓元之間（折合人民幣5.3億-10.6億元）。該行業正在尋找一個可以超越簡單開發和批量生產原型的水平。 

SiC和GaN被認為是下一代功率半導體材料。與傳統的硅相比，它具有出色的耐高溫和高電壓耐久性和功率效率。尤其是SiC的耐久性好，以電動汽車為代表的汽車市場對它的需求不斷增加。由于開關速度快，GaN被評價為更適合高頻環境下的無線通信。

作為回應，三星電子也在今年年初成立了“功率半導體 TF”，進軍 SiC/GaN 功率半導體市場。據了解，除了三星電子DS事業部內的主要事業部外，LED事業部和三星高等技術研究院也參與了TF。TF的具體目標是開發8英寸SiC GaN工藝。

LED業務團隊和先進技術研究所之所以加入功率半導體TF，與SiC·GaN功率半導體有關。一般來說，LED的晶圓需要通過MOCVD設備在硅上生長GaN等氮化物材料。

MOCVD是一種使用金屬有機原料形成薄膜的沉積方法，也用于制造SiC·GaN晶圓。其中一個共同點是，用于Micro LED的晶圓為8英寸。同時，高等技術研究所被評價為積累了高水平的GaN相關技術。

一位韓國的知情人士表示，我了解到三星電子決定推動一項計劃，將用于 SiC 和 GaN 開發的 LED 工藝中使用的部分 8 英寸設備混合使用，以提高開發效率。

同樣值得注意的是，三星電子為何從8英寸開始著手開發SiC工藝。與GaN已經普及8英寸晶圓不同，SiC仍以4英寸和6英寸晶圓為主。8英寸晶圓還沒有達到商業化。最早2024-2025年，Wolfspeed、Twosix、SK Siltron等大廠正式定下8英寸SiC晶圓量產的目標。

因此，業界認為，考慮到進入實際SiC市場的時機，三星電子正在嘗試從8英寸而不是6英寸開始開發工藝。在類似的背景下，DB HiTek 計劃使用 6 英寸進行 SiC 工藝的初步開發，并從 8 英寸開始進行實際的功率半導體量產。

事實上，三星電子正在投資 8 英寸工藝設施，用于 SiC/GaN 開發。據了解，僅迄今為止的投資額就超過1000億至2000億韓元。據估計，投資規模足以實現原型的量產，而不僅僅是簡單的開發。

據稱，三星電子內部對下一代功率半導體業務抱有相當大的熱情。一位業內人士暗示說：隨著Kyung-hyeon 總裁負責 DS 部門，功率半導體業務正在蓄勢待發。

事實上，韓國早在2000年就開始布局第三代半導體產業，并在近年來不斷加大力度，頻頻發力，政策發布，企業擴產收購不斷。

2000年韓國制訂了GaN開發計劃，政府在2004~2008年投入4.72億美元，企業投入7.36億美元以支持韓國進行光電子產業發展，使韓國成為亞洲最大的光電子器件生產國。

2009年韓國發布《綠色成長國家戰略》，全力發展環保節能產業，并致力于使得該產業成為韓國經濟增長的主要動力之一。

2010—2012年間投入約4500萬美金以推動MOCVD機臺實現國產化、引進制程自動化系統并開發高速封裝、監測設備。

2016年，韓國圍繞Si基GaN和SiC器件啟動功率電子國家項目，同時重點圍繞高純SiC粉末制備、高純SiC多晶陶瓷、高質量SiC單晶生長、高質量SiC外延材料生長4個方向，開展了國家研發項目。

2017年，韓國產業通商資源部（MOTIE）舉辦研討會，為了強化系統半導體的競爭力，產、官、學三界聯手投資4645億韓元（4.15億美元），開發低能源、超輕量和超高速的半導體芯片。

這當中1326億韓元用于開發先進超輕量傳感器、837億韓元投入低耗能的SiC功率半導體，47億韓元投資超高速存儲器和系統整合設計技術。

2021年，韓國政府對第三代半導體的發展越來越重視，并于同年發布了一份先進功率半導體研發和產能提升計劃，計劃到2025年將市場競爭力提升到全球水平，以便到那一年韓國至少有5種先進的功率半導體產品上市。

同時，韓國宣布啟動“X-band GaN半導體集成電路”國產化課題。韓國無線通信設備半導體企業RFHIC（艾爾福）被選定為課題牽頭企業，SK Siltron將參與SiC基板/GaN樹脂的制作，LIG nex1負責系統的驗證，韓國電子通信研究院(ETRI)的半導體工廠將被用來進行GaN MMIC的制作。

2022年，韓國推出其由國內半導體企業、大學、研究所等組成的“新一代晶體工程部”。以開發新一代功率半導體，應對碳化硅 (SiC)、氮化鎵 (GaN) 和氧化鎵 (Ga203) 等快速增長的全球功率半導體市場。