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Sic SBD

公司設計并生產的SiC 高溫SBD解決了高溫情況下二極管的電阻提升、阻斷電壓大幅下降、開關性能大幅下降等嚴重問題，極大提升了碳化硅二極管在高溫情況下的轉換效率和功率密度，已經大幅應用于公司的高溫電源系統中。公司的高溫SBD也對外出售，在650V，1200V，1700V多個電壓平臺均有量產的分立器件產品，且在不同載流能力和封裝形式上，產品目錄齊全，可以為客戶提供全方位的選擇。同時，公司早期在碳化硅高溫SBD的研究經驗也為公司的碳化硅特種MOS的研究提供了基礎。

Part Number	Status	Blocking Voltage	Package	Configuration	ID（A）	Qc（nC）	Cj（pF）
PXSD16120T2	Active1	1200	TO247-2	single	16	95	1100
PXSD32120T3	Active1	1200	TO247-3	double	32	95	1100
PXSD20120T3	New	1200	TO247-3	double	20	41	700
PXSD20120T1	Active1	1200	TO220-2	single	20	98	1100
PXSD20120T2	Active1	1200	TO247-2	single	20	98	1100
PXSD40120T3	Active1	1200	TO247-3	double	40	98	1100
PXSD40120T2	Active2	1200	TO247-2	single	40	250	2660
PXSD50120T2	Active2	1200	TO247-2	single	50	143	3100
PXSD26170T2	Active2	1700	TO247-2	single	26	82	1700

Sic 高溫SBD

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